出生年月:
1965-12
性别:男
毕业院校:南京师范大学
学位:博士
工作部门:物理系
工作单位:
南京大学
职称:教授
职务:博导
专家类别:技术专家
所在地区:江苏省-南京市-鼓楼区
邮政编码:210093
详细地址:南京市汉口路22号
单位性质:985系统院所
主要服务产业领域: 电子信息
研究方向:半导体材料与器件
依托研究平台:
推荐专家情况:获部、省科技进步二等奖以上的主要完成人、承担国家973、863、科技支撑计划主要负责人
简述主要科研能力、成绩与成果:长期从事半导体异质结构材料与器件应用方面的研究工作,对元素半导体(锗硅)和宽带隙材料(GaN,ZnO等)的外延生长技术与性质及器件的研制有深入的研究,取得了一系列有创新意义的研究成果。在材料生长技术方面,提出了锗硅异质结构外延中氢抑制锗分凝行为的技术,获国家发明专利,发展了生长高性能锗硅异质结构材料的技术与方法,揭示了ZnO缓冲层对GaN成核和生长作用的机理,提出并实现了GaN在蓝宝石直接成核的技术,发现了生长条件及反应过程控制材料结构性质的内在机理,提出并实现了抑制材料中裂纹产生的方法与技术等。 共主持、具体负责和主要参加了国家自然科学基金,国家''863''计划,国家''973''计划,等十多项研究项目。先后在国内外学术刊物和国际学术会议上发表学术论文40多篇(第一作者),通过省部级以上成果鉴定5项,获得国家专利2项,获国家发明三等奖一项,教委科技进步二等奖一项,江苏省科技进步三等奖一项。
简述主要咨询专长与案例: