专家介绍
出生年月：
未填写
性别：男
毕业院校：
学位：博士
工作部门：材料科学与工程学院
工作单位：
浙江大学
职称：教授
职务：副院长
专家类别：技术专家
所在地区：
邮政编码：
详细地址：硅材料国家重点实验室3号楼107
单位性质：985系统院所
主要服务产业领域： 新材料
研究方向：半导体材料和器件
依托研究平台：
推荐专家情况：
简述主要科研能力、成绩与成果：作为项目负责人开展的项目：
12、基于超薄硅的场效应晶体管型光电神经突触器件研究
（国家自然科学基金委员会---后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划培育项目 91964107， 2020.01 - 2022.12）
11、掺杂硅量子点薄膜的电荷输运研究
（国家自然科学基金委员会---面上项目 61774133， 2018.01 - 2021.12）
10、经过表面改性的自支撑的锗烯的能带结构和光学性能研究
（国家自然科学基金委员会---面上项目 61474097， 2015.01 - 2018.12）
9、印刷硅电子学
（国家自然科学基金委员会---优秀青年科学基金 61222404， 2013.01 - 2015.12）
6、利用硅量子点提高硅太阳电池的效率
（浙江省重点科技创新团队项目，2009R09005-01, 2010.01 - 2012.12）
5、硅纳米颗粒表面氯杂质的研究
（人事部留学回国择优资助基金，20100129，2010.01 - 2011.12）
4、用于固态照明的硅纳米颗粒荧光粉
（教育部留学回国人员启动基金，教外司留[2009]1341号，2010.01 - 2011.12）
3、利用等离子体合成用作红色荧光粉的硅纳米颗粒
（教育部博士点基金，20090101120157，2010.01 - 2012.12）
2、基于硅烷制备高纯多晶硅及直拉式全自动单晶硅生长装备研究与开发
（浙江省重大科技专项，G20100107， 2009.12 - 2011.12）
1、用于固态照明的硅纳米颗粒荧光粉
（国家自然科学基金委员会---青年科学基金，50902122，2010.01 - 2012.12）
12、基于超薄硅的场效应晶体管型光电神经突触器件研究
（国家自然科学基金委员会---后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划培育项目 91964107， 2020.01 - 2022.12）
11、掺杂硅量子点薄膜的电荷输运研究
（国家自然科学基金委员会---面上项目 61774133， 2018.01 - 2021.12）
10、经过表面改性的自支撑的锗烯的能带结构和光学性能研究
（国家自然科学基金委员会---面上项目 61474097， 2015.01 - 2018.12）
9、印刷硅电子学
（国家自然科学基金委员会---优秀青年科学基金 61222404， 2013.01 - 2015.12）
6、利用硅量子点提高硅太阳电池的效率
（浙江省重点科技创新团队项目，2009R09005-01, 2010.01 - 2012.12）
5、硅纳米颗粒表面氯杂质的研究
（人事部留学回国择优资助基金，20100129，2010.01 - 2011.12）
4、用于固态照明的硅纳米颗粒荧光粉
（教育部留学回国人员启动基金，教外司留[2009]1341号，2010.01 - 2011.12）
3、利用等离子体合成用作红色荧光粉的硅纳米颗粒
（教育部博士点基金，20090101120157，2010.01 - 2012.12）
2、基于硅烷制备高纯多晶硅及直拉式全自动单晶硅生长装备研究与开发
（浙江省重大科技专项，G20100107， 2009.12 - 2011.12）
1、用于固态照明的硅纳米颗粒荧光粉
（国家自然科学基金委员会---青年科学基金，50902122，2010.01 - 2012.12）
简述主要咨询专长与案例：集成电路对我国经济和国家安全具有战略性意义。集成电路在国际上和我国都是第一大高科技产业，已经成为了国家综合实力的重要标志。当前，集成电路晶体管的特征尺寸已缩至几个纳米，正逼近其物理极限，导致集成电路发展所遵循的摩尔定律即将失效。国际上普遍认为，硅基光电集成是推动集成电路继续发展的最佳方案之一。所以，在纳米尺度上，调控硅材料的光电性能，进而开发相关的光电器件，就显得尤为重要，已成为了硅材料研究的重要前沿。鉴于此，近年来聚焦于纳米尺度上硅材料的一种重要形态—硅纳米晶体（其尺寸小于~ 10 nm时也可以叫硅量子点），系统研究了其光电性能调控和器件应用。主要取得了以下成果。
1、创建了掺杂硅纳米晶体局域表面等离激元的理论模型，利用掺杂突破了硅纳米晶体的光吸收极限从而实现了其在近/中红外波段的光吸收，提出了硅纳米晶体超级掺杂的概念。在近/中红外波段的光吸收使掺杂硅纳米晶体成为了新型的红外光电材料。特别是作为中红外等离激元材料，掺杂硅纳米晶体有望推动等离激元学与微电子学的融合，促进新型硅基光电器件的发展。硅纳米晶体的超级掺杂研究为在纳米尺度上的半导体掺杂研究提供了新思路。人们将更有效地利用动力学调控半导体在纳米尺度上的掺杂，进而加强对半导体光电性能的调控。
2、创新性地设计了基于硅纳米晶体的耦合器件结构，发明了面向后摩尔时代硅基光电集成的探测波长可至近/中红外的硅纳米晶体光电探测器。硅纳米晶体近/中红外光电探测器由于能和硅基集成电路工艺兼容，有望在硅基光电集成中得到应用，推动硅基光电集成使用的光向长波长的近/中红外拓展，满足物联网和人工智能等领域所迫切需要的化学、生物和物理等传感对红外光探测的需求。
3、面向类脑计算的硅基光电集成，发明了硅纳米晶体光电神经突触器件，把光电神经突触器件的光刺激的波长拓展至了近红外，实现了电刺激-光输出。光刺激-电输出和电刺激-光输出的硅纳米晶体光电神经突触器件的成功制备表明了硅材料在光电神经突触器件中应用的潜力，将激发人们更加深入地研究硅材料的光电性能调控，发展性能优异的适用于类脑计算的硅基光电器件。
1、创建了掺杂硅纳米晶体局域表面等离激元的理论模型，利用掺杂突破了硅纳米晶体的光吸收极限从而实现了其在近/中红外波段的光吸收，提出了硅纳米晶体超级掺杂的概念。在近/中红外波段的光吸收使掺杂硅纳米晶体成为了新型的红外光电材料。特别是作为中红外等离激元材料，掺杂硅纳米晶体有望推动等离激元学与微电子学的融合，促进新型硅基光电器件的发展。硅纳米晶体的超级掺杂研究为在纳米尺度上的半导体掺杂研究提供了新思路。人们将更有效地利用动力学调控半导体在纳米尺度上的掺杂，进而加强对半导体光电性能的调控。
2、创新性地设计了基于硅纳米晶体的耦合器件结构，发明了面向后摩尔时代硅基光电集成的探测波长可至近/中红外的硅纳米晶体光电探测器。硅纳米晶体近/中红外光电探测器由于能和硅基集成电路工艺兼容，有望在硅基光电集成中得到应用，推动硅基光电集成使用的光向长波长的近/中红外拓展，满足物联网和人工智能等领域所迫切需要的化学、生物和物理等传感对红外光探测的需求。
3、面向类脑计算的硅基光电集成，发明了硅纳米晶体光电神经突触器件，把光电神经突触器件的光刺激的波长拓展至了近红外，实现了电刺激-光输出。光刺激-电输出和电刺激-光输出的硅纳米晶体光电神经突触器件的成功制备表明了硅材料在光电神经突触器件中应用的潜力，将激发人们更加深入地研究硅材料的光电性能调控，发展性能优异的适用于类脑计算的硅基光电器件。
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