一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术

成果编号：21514

价格：面议

完成单位：南京航空航天大学

单位类别：211系统院所

完成时间：2018年

成熟程度：小批量生产阶段

服务产业领域：新材料

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发布人：沈鸿烈离线

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该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝，对通入生长腔体中的气体进行快速分解，通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数，可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新材料

合作方式：技术开发

参与活动：驻苏高校院所苏北五市产学研合作对接活动第七届中国江苏产学研合作大会

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 1 项

成果简介

成果概况

创新要点

1.纳米硅薄膜的禁带宽度大于2.0eV；2. 纳米硅薄膜的晶化率大于90[[%]]；3. 纳米硅薄膜二极管的工作温度不低于300oC，远高于传统的晶体硅二极管150oC的最高工作温度。4用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术，制备的纳米硅薄膜大面积均匀，载流子浓度和迁移率可控性好。

主要技术指标

其他说明

应用领域及市场前景该成果主要面向微电子器件制造行业，如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。

完成人信息

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