III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件及其制备方法

成果编号：21379

价格：面议

完成单位：南京大学

单位类别：985系统院所、211系统院所

完成时间：2015年

成熟程度：试生产阶段

服务产业领域：电子信息

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发布人：谢自力离线

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本发明公开了一种III 族氮化物半导体／量子点混合白光LED 器件，所述白光LED 器件在p 型电极不口n 型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n 型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II-VI 族量子点。还公开了其制备方法。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术转让

参与活动：驻苏高校院所苏北五市产学研合作对接活动第七届中国江苏产学研合作大会

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项

成果简介

成果概况

创新要点

该类器件利用锢嫁氮（InGaN）量子阱与II-VI 量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物／量子点混合结构的白光LED 器件。

主要技术指标

其他说明

本成果来自江苏省光电信息功能材料重点实验室

完成人信息

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