硅基功率集成的可靠性关键技术与应用

成果编号：11432

价格：面议

完成单位：省产研院专用集成电路技术研究所

单位类别：其他院所

完成时间：2014年

成熟程度：批量生产阶段

服务产业领域：电子信息

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发布人：孙伟锋离线

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针对功率集成的热载流子寿命、自保护能力、安全工作区、高低压隔离及高温反偏等可靠性问题，开展从机理探索、实验分析、创新发明到优化集成的系列研究。突破了硅基功率集成可靠性关键技术的瓶颈，系统性地构建了功率集成电路的可靠性设计方法及自主制造平台，打破了国际垄断。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术开发、技术服务

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 22 项

成果简介

成果概况

创新要点

（1）功率集成器件的热载流子可靠性；（2）功率集成器件的自保护可靠性；（3）功率集成器件的安全工作区可靠性；（4）功率集成电路的隔离可靠性；（5）功率集成器件的高温反偏可靠性。

主要技术指标

（1）一种带有阶梯栅氧化层的集成型功率nLDMOS器件；（2）一种带有轻掺杂P型区的集成型功率pLDMOS器件；（3）一种带有L型P掺杂区的集成型功率SOI-nLIGBT器件等

其他说明

完成人信息

姓名：对接成功后可查看

所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

职称：对接成功后可查看

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