科技计划:
成果形式:新产品
合作方式:技术开发
参与活动:
专利情况:
正在申请 ,其中:发明专利 1 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项
成果简介
成果概况
单相集成自举智能高压驱动芯片是专为中小功率高压桥式开关系统而设计的集成电路,可驱动功率MOSFET和IGBT,有两路独立的驱动输出,分别驱动上下桥臂的功率管,芯片内部集成了自举二极管,降低了系统复杂度,同时有效提升了系统可靠性。输入信号的逻辑电平与LSTTL和标准CMOS的3.3V电平相兼容,输出驱动缓冲级具有大脉冲电流,可以抑制通道间相互的干扰。
创新要点
(1)采用自主开发的高低压兼容工艺;
(2)采用提升自举二极管集成可靠性的背栅控制电路;
(3)采用增强自举二极管电流能力的栅压提升控制技术。
主要技术指标
(1)高侧工作电平≥600V;
(2)延时匹配≤10ns;
(3)充电时间 1.5 ms;
(4)欠压保护=8.7V;
(5)拉灌能力400mA/700mA。
其他说明
完成人信息
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