电容负载高压电平移位技术

成果编号：11119

价格：面议

完成单位：省产研院专用集成电路技术研究所

单位类别：其他院所

完成时间：2015年

成熟程度：研制阶段

服务产业领域：电子信息

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发布人：孙伟锋离线

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智能功率驱动芯片主要应用于电机驱动领域，由于电机为感性负载，因此芯片的耐dVS/dt噪声能力和VS负偏压能力决定着应用系统系统的可靠性。创新提出的电容负载高压电平移位技术，通过切断位移电流路径及增大电平移位输出幅值，成功应用于智能高压驱动芯片中，并将芯片耐dVS/dt能力和VS负偏压能力分别提升至85V/ns，-12V以上，达到国际领先水平。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术开发

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 2 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项

成果简介

成果概况

创新要点

（1）采用自主开发的高低压兼容工艺；（2）采用抗dVS/dt噪声能力和VS负偏压能力的容性负载结构；（3）采用能量泄放技术提升信号的传递速度。

主要技术指标

（1）高侧工作电平≥600V；（2）dVS/dt能力≥85V/ns；（3）VS负偏压能力＝-12V；（4）传输延时≤ 10ns；（5）最优品质因子 = 1020V2/ns 。

其他说明

完成人信息

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