横向绝缘栅双极型器件电流密度和可靠性提升技术

成果编号：11449

价格：面议

完成单位：省产研院专用集成电路技术研究所

单位类别：其他院所

完成时间：2013年

成熟程度：批量生产阶段

服务产业领域：电子信息

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发布人：孙伟锋离线

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横向绝缘栅双极型器件（LIGBT）具有高输入阻抗、低导通电阻及高击穿电压等诸多优点，已作为核心器件广泛应用于平板显示驱动芯片、浮栅驱动芯片及电源管理芯片等诸多功率集成电路中。核心器件LIGBT在实际芯片中所占面积比重很大（30%-40%），因而其电流密度和可靠性的提升可以有效减小芯片面积开销、延长芯片寿命并提升产品竞争力。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术开发

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 1 项
已授权专利,其中:发明专利 7 项
专利号:
ZL 201010265783.8,ZL 201010265754.1,US 8754442 B2

成果简介

成果概况

创新要点

创造性地提出了多种具有高电流密度和高可靠性的LIGBT器件结构，包括带有“W”型缓冲层的LIGBT器件、级联型LIGBT器件以及带有三维多发射极的LIGBT器件，使得器件的电流密度、抗ESD自保护能力及安全工作区得到大幅提升。

主要技术指标

提出的信息LIGBT器件在不改变其他电学性能参数的基础上，比国外同类器件的电流密度高20%，且比国内同类器件的电流密度高50%，且具有更强的ESD自保护能力和更宽的安全工作区，有效地减小了芯片面积，提升了产品可靠性和竞争力。

其他说明

完成人信息

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