四结GaIn/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法

成果编号：10814

价格：面议

完成单位：省产研院纳米技术与纳米仿生研究所

单位类别：中国科学院系统院所

完成时间：2013年

成熟程度：研制阶段

服务产业领域：能源环保

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发布人：陆书龙离线

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本发明为四结GaIn/GaAs/InGaAs/Ge太阳电池的制作方法，本发明减少了机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失，同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术转让、技术开发、技术服务、技术入股

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 1 项
专利号:
201010165596.2

成果简介

成果概况

创新要点

无

主要技术指标

实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。

其他说明

完成人信息

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所在部门：对接成功后可查看

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职称：对接成功后可查看

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