1700 V/100 A IGBT及其制造方法

成果编号：11133

价格：面议

完成单位：浙江大学

单位类别：985系统院所、211系统院所

完成时间：2015年

成熟程度：小批量生产阶段

服务产业领域：电子信息

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发布人：韩雁离线

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IGBT作为最新一代的复合全控型功率器件，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、工作频率高等诸多优点，而高压IGBT在电机控制、新能源、轨道交通、智能电网、电动汽车等领域起着不可替代的作用。由于国内工艺技术水平相对落后，高压IGBT的设计与生产长期落后于国外。本成果在结合现有国内工艺，研发具有自主知识产权的高压IGBT芯片，为高压IGBT在国内的研发和实现积累一定的经验，同时尽可能缩小与国外产品的差距。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新产品

合作方式：技术转让、技术开发

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 1 项
专利号:
ZL20101 0290339. 1

成果简介

成果概况

创新要点

1. 器件结构自主研发； 2. 完全基于国内现有工艺制造； 3. 采用透明集电极工艺，优化器件性能。

主要技术指标

1. 击穿电压BVCES：≥1700 V； 2. 饱和压降VCE（sat）：typ. 2.6 V，max. 3.2 V； 3. 阈值电压Vth：4 ~ 6 V； 4. 关断时间 Toff：< 800 ns； 5. 关断功耗 Eoff：< 50 mJ。

其他说明

完成人信息

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