薄膜无源集成技术

成果编号：11652

价格：面议

完成单位：电子科技大学

单位类别：985系统院所、211系统院所

完成时间：2015年

成熟程度：试生产阶段

服务产业领域：电子信息、新材料

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发布人：张继华离线

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无源元件的集成已成为电子系统小型化、集成化、多功能化发展的主要瓶颈。薄膜集成关键共性技术和技术研发平台将为无源元件的集成提供关键技术支撑。广泛用于移动通讯、航空/航天、汽车电子、智能家电、精密仪器、数码产品、微波集成电路等。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术、新材料

合作方式：技术转让、技术入股、人才培养

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 15 项
已授权专利,其中:发明专利 8 项
专利号:
ZL201010158934,ZL201110455998,ZL200810045321

成果简介

成果概况

创新要点

掌握了薄膜无源集成关键共性技术，包括纳米级平整薄膜电路基片、典型功能薄膜制备、薄膜集成器件设计以及通孔金属化等3D集成工艺。申请发明专利15项(授权8项，国际1项)。相关产品在航天XX所、电子XX所、XX所等单位应用；部分技术在企业实施产业化。

主要技术指标

1. 高性能薄膜电路基片表面均方根粗糙度<1 nm，最小加工线宽可达亚微米，可替代单晶基片温度承受能力>1000℃，-55℃~200℃范围内耐50℃/s的升降温速度冲击优异的微波性能(Al2O3、BeO陶瓷) 2. 典型薄膜功能材料 TaN电阻薄膜材料：自钝化、电阻率10~200？/□，温度系数<±50ppm/℃ 电容介质薄膜：介电可调铁电薄膜（调谐率>50%，损耗<1%，耐压>50V/？m），微波介质薄膜（介电系数：3~80，损耗<0.2%,击穿电压>200V/μm）,NTC敏感薄膜材料 3. 典型薄膜集成器件薄膜电路：整合导带、电阻、电容、电感、敏感元件等，集成度高集成微波薄膜可调电容/移相器/滤波器：高密度、高Q，兼容MMIC工艺薄膜NTC温度传感器/温补衰减器: 高精度、高响应速度、可片上集成高可靠射频电阻/衰减器: 功率大、工作频带宽、稳定性高

其他说明

完成人信息

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