基于铁电薄膜的太赫兹调制器及其制作方法

成果编号：10942

价格：面议

完成单位：省产研院纳米技术与纳米仿生研究所

单位类别：中国科学院系统院所

完成时间：2014年

成熟程度：研制阶段

服务产业领域：新材料

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发布人：张晓渝离线

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本发明为基于铁电薄膜的太赫兹调制器及其制作方法，其技术应用为太赫兹光源和高灵敏度探测器，属于微纳制造领域

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务、技术入股

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项
专利号:
201310547214.6

成果简介

成果概况

本发明为基于铁电薄膜的太赫兹调制器及其制作方法，其技术应用为太赫兹光源和高灵敏度探测器，属于微纳制造领域

创新要点

本发明充分结合了铁电薄膜的介电常数可高速调制和高Q因子的太赫兹滤波结构的优点，在太赫兹滤波结构工作频率下对太赫兹波的幅值进行高速电调制，具有调制速度高和调制深度大等特点，可以弥补现有高速太赫兹调制器性能的不足。

主要技术指标

无

其他说明

完成人信息

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所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

职称：对接成功后可查看

手机：对接成功后可查看

E-mail：对接成功后可查看

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