高性能氮化物薄膜LED器件

成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术、新工艺、新产品

合作方式：技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务、技术入股

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 15 项
已授权专利,其中:发明专利 2 项
专利号:
ZL201110441607.X ,ZL201210320597.9

成果简介

成果概况

面向可见光无线通信及传感的高性能硅基氮化物薄膜LED器件

创新要点

课题基于硅衬底氮化物晶片，开发了硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术，实现了悬空氮化物薄膜LED光源。图1为课题设计研发的高性能氮化物薄膜LED器件。悬空氮化物薄膜LED器件能够消除硅衬底吸收，减少厚膜的光损耗，通过降低阻抗和结电容，提升器件的光电性能。研究结果发现，LED器件的出光效率、电学特性、响应速率和薄膜厚度密切相关，通过背后减薄，可以获得高性能的氮化物薄膜LED光源。

主要技术指标

薄膜LED厚度控制在1微米之内

其他说明

完成人信息

姓名：对接成功后可查看

所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

职称：对接成功后可查看

手机：对接成功后可查看

E-mail：对接成功后可查看

电话：对接成功后可查看

传真：对接成功后可查看

邮编：对接成功后可查看

通讯地址：对接成功后可查看

联系人信息