减反膜、光电子器件及其制作方法

成果编号：10943

价格：面议

完成单位：省产研院纳米技术与纳米仿生研究所

单位类别：中国科学院系统院所

完成时间：2014年

成熟程度：研制阶段

服务产业领域：能源环保、新材料

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发布人：张瑞英离线

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本发明为减反膜、光电子器件及其制作方法，可开展的技术应用为III-V电池或薄膜电池

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术转让、技术开发、技术咨询、技术服务、技术入股

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 1 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项
专利号:
201410307268.X

成果简介

成果概况

本发明为减反膜、光电子器件及其制作方法，可开展的技术应用为III-V电池或薄膜电池

创新要点

入射光在介质微纳结构中以高阶衍射形式进入介质材料，并进一步满足高阶衍射角大于其临界角。从而使得高阶衍射光进一步以导模形式耦合进入半导体层材料，直至完全吸收，降低其零级衍射成分，从而避免了多次散射造成的反射，也突破了介质微纳结构/半导体层之间高的界面反射对整个结构表面反射的影响。

主要技术指标

无

其他说明

完成人信息

姓名：对接成功后可查看

所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

职称：对接成功后可查看

手机：对接成功后可查看

E-mail：对接成功后可查看

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