碳化硅（SiC）半导体外延材料和器件

成果编号：13389

价格：面议

完成单位：中国电子科技集团公司第55研究所

单位类别：中国电科集团系统院所

完成时间：2014年

成熟程度：试生产阶段

服务产业领域：电子信息、新材料

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发布人：柏松离线

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我所的碳化硅技术和成果水平国内领先，率先研制成功多种外延材料、二端、三端器件及混合功率模块，获得“工信部科学技术进步奖一等奖”等奖项。其中的碳化硅外延材料项目将在南京国盛电子有限公司进行产业化转化。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新产品、新材料

合作方式：技术开发

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 19 项
已授权专利,其中:发明专利 11 项
专利号:
ZL 200610096641.7,ZL 201210383666.0,ZL 201210244717.1

成果简介

成果概况

创新要点

目前我所SiC外延材料和器件生产技术达到国内领先、国际先进水平，已经具备了产业化的技术基础。

主要技术指标

我所自主开发出了SiC外延材料和600V,1200V SiC肖特基（SBD）二极管，其3英寸SiC器件的工艺技术已达到了国际先进水平，具备了碳化硅材料及器件国产化、产业化的技术基础。

其他说明

完成人信息

姓名：对接成功后可查看

所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

职称：对接成功后可查看

手机：对接成功后可查看

E-mail：对接成功后可查看

电话：对接成功后可查看

传真：对接成功后可查看

邮编：对接成功后可查看

通讯地址：对接成功后可查看

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