科技计划:
成果形式:新产品
合作方式:其他
参与活动:
专利情况:
正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 3 项
成果简介
成果概况
国盛公司在硅外延领域的技术和产品位于国内前列,拥有自主研发的批生产技术和多项技术专利,先后承担了多项国家科技重大专项、国家高技术产业化项目及省市科技攻关等研制任务,“5英寸、6英寸VDMOS功率器件用硅外延片”荣获中国半导体创新产品称号,该项目已获得三项专利。
创新要点
高质量大尺寸硅外延材料是制作硅高端功率器件和集成电路的关键材料,国盛公司采用的高质量大尺寸硅外延工艺是以SiHCl3为源,通过中频加热的方式进行气相淀积,电阻率和厚度均匀性和重复性均能得到较好的控制。
主要技术指标
以SiHCl3为源,通过中频加热的方式进行气相淀积,电阻率和厚度均匀性和重复性均能得到较好的控制。
其他说明
完成人信息
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