科技计划:
成果形式:新工艺、新装备
合作方式:技术转让、技术服务
参与活动:
专利情况:
未申请专利
成果简介
成果概况
(1)能量过滤磁控溅射技术是对磁控溅射镀膜技术进行改进后的一种薄膜制备技术,可制备金属、半导体和氧化物等多种薄膜。与常规磁控溅射技术相比,该技术制备的薄膜晶粒均匀细小、结构致密、表面平整。
(2)该技术抑制了高能粒子对衬底的轰击,减少了薄膜中的应力和结构缺陷,使薄膜不仅在结构特性方面有显著改善,在光电性能方面也有所提升。
(3)该技术设备投资比传统磁控溅射设备稍高,市场前景广阔。
创新要点
(1) 可以制备金属、半导体、介质等各种薄膜;(2) 制备的薄膜内部缺陷少、结构致密;(3) 能使薄膜晶粒细化,在非常宽泛的沉积条件范围内直接制备出晶粒直径约10nm、薄膜表面平整度Ra值 ≤ 3.0 nm,RP-V值 ≤ 20 nm的纳米薄膜;(4) 对衬底几乎不产生溅射损伤。
主要技术指标
薄膜晶粒直径约10nm、薄膜表面平整度Ra值 ≤ 3.0 nm,RP-V值 ≤ 20 nm的纳米。
其他说明
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