LED用碳化硅晶体材料

成果编号：11100

价格：面议

完成单位：中国科学院上海硅酸盐研究所

单位类别：中国科学院系统院所

完成时间：2014年

成熟程度：批量生产阶段

服务产业领域：电子信息、新材料

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发布人：刘学超离线

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SiC基电力电子器件具有效率高、能耗低、体积小、可靠性高等优势，可显著提高能源转换效率，目前已经在工业电源、风力和太阳能发电系统、混合动力和电动汽车系统、智能电网、高铁和地铁机车、白色家电中实现商品化应用。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术、新工艺、新产品

合作方式：技术转让、技术开发、技术入股

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项

成果简介

成果概况

创新要点

中科院上海硅酸盐研究所已建成面积约3500m2全套SiC “晶体生长——晶体加工——检测表征——清洗封装”中试生产线，造就一支高水平的碳化硅研发团队，形成我国拥有自主知识产权的SiC晶体材料重要的研发基地。

主要技术指标

研发了半绝缘和导电型4H-SiC、6H-SiC晶体，形成年产2万片3～4英寸SiC中试生产线并自主发明了双室结构碳化硅晶体生长装置，与蓝宝石相比，碳化硅单晶更有利于制作对散热要求高、面积较大的大功率LED器件。

其他说明

完成人信息

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职务：对接成功后可查看

职称：对接成功后可查看

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