深紫外LED芯片与光源技术

成果编号：02027

价格：面议

完成单位：中国科学院半导体研究所

单位类别：中国科学院系统院所

完成时间：2012年

成熟程度：小批量生产阶段

服务产业领域：电子信息、装备制造

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发布人：王军喜离线

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该项目获国家863计划支持，突破掌握了深紫外LED（发光波长短于300nm）的核心材料外延和芯片制备技术，已申请发明专利12项，获授权发明专利 3项。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新产品

合作方式：技术服务

参与活动：

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 12 项
已授权专利,其中:发明专利 3 项

成果简介

成果概况

该项目获国家863计划支持，突破掌握了深紫外LED（发光波长短于300nm）的核心材料外延和芯片制备技术，已申请发明专利12项，获授权发明专利 3项。

创新要点

深紫外LED的关键技术包括高Al组分氮化物材料的MOCVD外延生长技术、深紫外LED的芯片工艺技术和集成封装技术等，核心高Al组分外延材料和深紫外LED器件性能指标达到国际先进、国内领先水平。

主要技术指标

研制出的深紫外LED器件在20mA驱动电流下室温连续输出功率超过3mW。

其他说明

深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领域有着广阔的市场前景，潜在市场规模可达数十亿美元。

完成人信息

姓名：对接成功后可查看

所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

职称：对接成功后可查看

手机：对接成功后可查看

E-mail：对接成功后可查看

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