AgxSn 高反射背电极的材料设计及制备技术

成果编号：39396

价格：面议

完成单位：大连理工大学

单位类别：985系统院所、211系统院所

完成时间：2022年

成熟程度：试生产阶段

服务产业领域：

我要对接关注发送消息

发布人：王云鹏离线

发送消息

通过改进LED 灯珠的封装结构来提高 LED 芯片的光萃取率，使更多的能量转化成光能，从根本上减少热量的产生，实现器件可靠性的提高和使用周期的经济价值。在该技术的研发中充分考虑了整个封装工艺上下游的兼容性，开发了Ag-Sn体系的工艺路线。是日本岩手大学的研究组以外，成功的开发出AgxSn高反射电极的唯一团队，并获得了自主的知识产权。此外，该技术相对温和、灵活的工艺条件及环境友好的材料体系，使得高反射型薄膜设计可拓展到背光、显示、照明等各类器件的封装，以及应用于柔性电子的OLED等特殊结构中。

54 次浏览分享到

成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术咨询

参与活动：第二届江苏产学研合作对接大会

专利情况：未申请专利

成果简介

成果概况

创新要点

主要技术指标

1. 无氰体系高品质Ag、AgSn复合镀层的常温制备，450-900nm区间薄膜反射率≥85%； 2. 90-120oC的固相界面反应形成连续AgxSn膜层，优化处理后的膜层在150oC及氧、硫的液相加速测试环境下，4小时膜层反射率损失≤15%； 3. 固相界面工艺后的Ag-AgxSn-Sn膜层与Sn基钎料有良好的钎焊性能。

其他说明

完成人信息

姓名：对接成功后可查看

所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

职称：对接成功后可查看

手机：对接成功后可查看

E-mail：对接成功后可查看

电话：对接成功后可查看

传真：对接成功后可查看

邮编：对接成功后可查看

通讯地址：对接成功后可查看

联系人信息