成果介绍
科技计划：
其他：
成果形式：新材料
合作方式：其他
参与活动：
专利情况：
未申请专利
成果简介
成果概况
聚酰亚胺光刻胶光刻后光刻线只寸与掩模线尺寸相切合，且边界清晰，光刻过程没有发生热聚合，工艺条件与光被量做亚胺相时凶配。光刻后不留底膜，海领厚度小于 100 um，光刻后上下口宽度差不超过线宽的 1/5。主要应用于微机电系铁、太阳能光伏及微流道和生物芯片工业等领城。
创新要点
聚酰亚胺光刻胶光刻后光刻线只寸与掩模线尺寸相切合，且边界清晰，光刻过程没有发生热聚合，工艺条件与光被量做亚胺相时凶配。光刻后不留底膜，海领厚度小于 100 um，光刻后上下口宽度差不超过线宽的 1/5。主要应用于微机电系铁、太阳能光伏及微流道和生物芯片工业等领城。
主要技术指标
聚酰亚胺光刻胶光刻后光刻线只寸与掩模线尺寸相切合，且边界清晰，光刻过程没有发生热聚合，工艺条件与光被量做亚胺相时凶配。光刻后不留底膜，海领厚度小于 100 um，光刻后上下口宽度差不超过线宽的 1/5。主要应用于微机电系铁、太阳能光伏及微流道和生物芯片工业等领城。
其他说明
聚酰亚胺光刻胶光刻后光刻线只寸与掩模线尺寸相切合，且边界清晰，光刻过程没有发生热聚合，工艺条件与光被量做亚胺相时凶配。光刻后不留底膜，海领厚度小于 100 um，光刻后上下口宽度差不超过线宽的 1/5。主要应用于微机电系铁、太阳能光伏及微流道和生物芯片工业等领城。
完成人信息
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