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人工突触领域研发的新路径

成果编号:39300
价格:面议
完成单位:西交利物浦大学
单位类别:其他高校
完成时间:2022年
成熟程度:其他
服务产业领域: 电子信息
发布人:西浦 在线
本申请涉及一种具有类突触长期可塑性的忆阻器及其制备方法,该忆阻器包括由上至下设置的顶电极层,双层阻变氧化层和基底;所述双层阻变氧化层分别为氧化镓层和氧化铝层,所述基底包括上下层叠设置的底电极层和绝缘层。该具有双层阻变氧化层的忆阻器及其制备方法实现了低成本的RRAM制备,并获得类人脑神经突触活动的长期可塑性性能。
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成果介绍

科技计划: 其他:
成果形式:新技术
合作方式:技术开发、技术咨询、技术服务、其他
参与活动: 第二届江苏产学研合作对接大会 2023年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动
专利情况: 未申请专利
成果简介
成果概况
本申请涉及一种具有类突触长期可塑性的忆阻器及其制备方法,该忆阻器包括由上至下设置的顶电极层,双层阻变氧化层和基底;所述双层阻变氧化层分别为氧化镓层和氧化铝层,所述基底包括上下层叠设置的底电极层和绝缘层。该具有双层阻变氧化层的忆阻器及其制备方法实现了低成本的RRAM制备,并获得类人脑神经突触活动的长期可塑性性能。
创新要点
相比于单层纯金属氧化层的忆阻器,本发明得到的忆阻器的阻变效果更好,功耗小、工作电压小,器件的耐受性和稳定性也有所提高。采用纯溶液法制备,操作简单方便,成本低。实现了类突触器件的长期可塑性。
主要技术指标
暂不公布
其他说明
完成人信息
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职务:对接成功后可查看
职称:对接成功后可查看
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联系人信息
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