高可靠性氮化镓电力电子器件及其功率集成

成果编号：39291

价格：面议

完成单位：西交利物浦大学

单位类别：其他高校

完成时间：2022年

成熟程度：其他

服务产业领域：电子信息

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发布人：西浦在线

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功率器件的潜在应用市场十分广阔，覆盖电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等为代表的各个民用领域。GaN材料应用于电力电子器件，能够突破硅材料对器件性能的限制，实现高频、高效率、高功率密度、耐高温和高可靠性的功率器件。本方向研究高可靠性氮化镓功率开关器件，满足高频、快速、小体积、低损耗等应用需求。我们通过不同工艺路线制备常关型和常开型器件(D-mode和E-mode) 650 V GaN HEMT，采用低压力化学气相沉积法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition LPCVD) 绝缘薄膜生长技术，实现高质量的绝缘介质层；研究绝缘栅介质生长前预处理的方法，改善半导体/介质层的界面态，制作高质量绝缘栅介质，减小漏电流。

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成果介绍

科技计划：其他：

成果形式：新技术

合作方式：技术开发、技术咨询、技术服务、其他

参与活动：第二届江苏产学研合作对接大会 2023年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 0 项

成果简介

成果概况

创新要点

实现高质量的绝缘介质层；研究绝缘栅介质生长前预处理的方法，改善半导体/介质层的界面态，制作高质量绝缘栅介质，减小漏电流。

主要技术指标

暂不公布

其他说明

无

完成人信息

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所在部门：对接成功后可查看

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职称：对接成功后可查看

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