一种类金属与金属复合空心腔阵列结构

成果编号：39271

价格：面议

完成单位：厦门大学

单位类别：985系统院所、211系统院所

完成时间：2022年

成熟程度：

服务产业领域：其他

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发布人：李静离线

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贵金属作为一种理想的等离激元材料，其导电性和导热性良好，但存在化学和物理性质不稳定，在空气中易被氧化，热稳定性差，因而实际应用受到限制。而 TiN 是一种新型类金属材料，在可见光和长波段具有金属特性，因而作为一种新型的等离激元材料引起了广泛的关注。其光学特性类似于金，介电常数实部为负值，具有载流子浓度大、耐火耐磨、强度大和化学稳定等优势。由于表面能低，易形成致密晶体层。且价格低廉，相较于贵金属更适合于实际应用。本项目发展的一种新型类金属/贵金属复合空心腔阵列芯片技术，涉及基于金属表面等离激元共振增强机理，以及类金属与金属接触的电荷转移机制，可实现操作简单、迅速、稳定的检测功能，在食品、生物、医药、环境监测等领域具有广泛的应用前景

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术、新材料

合作方式：技术服务

参与活动：第二届江苏产学研合作对接大会

专利情况：未申请专利

成果简介

成果概况

创新要点

主要技术指标

其他说明

二、技术成熟度新型类金属/贵金属复合空心腔阵列芯片，采用硅基微纳加工技术进行制备，以阵列模板为衬底，利用磁控溅射技术在阵列模板上沉积 Ag 薄膜，去除模板后，再沉积一定厚度的 TiN 形成复合阵列腔结构。所开发的工艺流程和参数稳定，已经实现晶圆级 (5 寸晶圆以上) 的有序制备 (覆盖度达 90%以上) ，工艺技术成熟可靠。三、应用范围这种类金属/贵金属复合空心腔阵列芯片，可广泛用于食品、化妆品、生物医药、环境监测、以及农牧业等领域。四、投产条件和预期经济效益主要原料硅基晶圆、贵金属 Ag 或者 Au 、TiN 靶材，各种材料用量小，且国内市场供应充足，工艺加工设备均为常用国产设备，投入成本低。生产过程无环境污染，仅使用少量惰性气体，无污染物产生。对于年产值 1000 万元规模，预计设备投资 150 万元 (不包括厂房、公用工程等) 。五、合作方式技术转让或联合生产，具体合作方式可商议。

完成人信息

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