该成果由晶体材料国家重点实验室团队研发，采用自主设计、研制的装备生长了高质量的单晶，突破了晶体切、磨、抛加工技术，获得了开盒即用的晶片，申请国家发明专利12项。工程化验证批量样品位错密度≤104cm-2，摇摆曲线半高宽≤150弧秒，达到国际先进水平。基于我们的衬底，国内外多家单位完成了器件验证。β-Ga2O3具有比SiC, GaN更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的抗辐射能力，是制作深紫外光电器件，高温、抗辐射及大功率器件，引领新一轮产业革命的关键材料。
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成果介绍
科技计划：
成果形式：新技术
合作方式：技术转让
参与活动：
第二届江苏产学研合作对接大会
专利情况：
未申请专利
成果简介
成果概况
该成果由晶体材料国家重点实验室团队研发，采用自主设计、研制的装备生长了高质量的单晶，突破了晶体切、磨、抛加工技术，获得了开盒即用的晶片，申请国家发明专利12项。工程化验证批量样品位错密度≤104cm-2，摇摆曲线半高宽≤150弧秒，达到国际先进水平。基于我们的衬底，国内外多家单位完成了器件验证。β-Ga2O3具有比SiC, GaN更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的抗辐射能力，是制作深紫外光电器件，高温、抗辐射及大功率器件，引领新一轮产业革命的关键材料。
创新要点
该成果由晶体材料国家重点实验室团队研发，采用自主设计、研制的装备生长了高质量的单晶，突破了晶体切、磨、抛加工技术，获得了开盒即用的晶片，申请国家发明专利12项。工程化验证批量样品位错密度≤104cm-2，摇摆曲线半高宽≤150弧秒，达到国际先进水平。基于我们的衬底，国内外多家单位完成了器件验证。β-Ga2O3具有比SiC, GaN更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的抗辐射能力，是制作深紫外光电器件，高温、抗辐射及大功率器件，引领新一轮产业革命的关键材料。
主要技术指标
该成果由晶体材料国家重点实验室团队研发，采用自主设计、研制的装备生长了高质量的单晶，突破了晶体切、磨、抛加工技术，获得了开盒即用的晶片，申请国家发明专利12项。工程化验证批量样品位错密度≤104cm-2，摇摆曲线半高宽≤150弧秒，达到国际先进水平。基于我们的衬底，国内外多家单位完成了器件验证。β-Ga2O3具有比SiC, GaN更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的抗辐射能力，是制作深紫外光电器件，高温、抗辐射及大功率器件，引领新一轮产业革命的关键材料。
其他说明
完成人信息
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