碳化硅功率集成芯片技术开发及产业化

成果编号：38890

价格：面议

完成单位：浙江大学电气工程学院

单位类别：985系统院所、211系统院所

完成时间：2023年

成熟程度：研制阶段

服务产业领域：装备制造、其他

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发布人：盛况离线

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团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。

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成果介绍

科技计划：

成果形式：新技术

合作方式：技术转让

参与活动：第二届江苏产学研合作对接大会

专利情况：未申请专利

成果简介

成果概况

创新要点

主要技术指标

其他说明

完成人信息

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