一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管

成果编号：38577

价格：面议

完成单位：南通大学

单位类别：其他高校

完成时间：2022年

成熟程度：

服务产业领域：电子信息

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发布人：姚娟离线

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AlGaN基深紫外（DUV）发光二极管（LED）在水净化、杀菌、皮肤治疗等方面有着广阔的应用前景，受到了人们的广泛关注。到目前为止，在250-280纳米波长范围内，具有p-GaN接触层的AlGaN基DUV-LED裸片的外量子效率一般小于7%。与高效的氮化物蓝光LED相比，由于AlGaN基DUV-LED具有较高的受主电离能、p-GaN接触层的强吸收和独特的偏振特性，致使其外量子效率低下。鉴于目前深紫外氮化物LED较低发光效率等问题，我们提出了一种耦合量子阱结构设计。其结构特点是采用薄的耦合量子阱结构，通过阱层间的耦合，调节量子阱的能带结构，增加载流子在阱层中的复合区域，从而降低俄歇复合率，增加总自发辐射复合率，提高LED器件的内量子效率，抑制器件的效率下降效应。

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成果介绍

科技计划：其他：

成果形式：新工艺

合作方式：

参与活动：第二届江苏产学研合作对接大会 2023年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动

专利情况：正在申请 ,其中:发明专利 0 项
已授权专利,其中:发明专利 1 项

成果简介

成果概况

创新要点

不同于传统的阱层结构，采用了一种耦合量子阱结构，从而提高深紫外氮化物LED的发光效率。

主要技术指标

1.耦合阱层由AlxGa1-xN阱层、 AlyGa1-yN隔离层和AlxGa1-xN阱层构成。其中，AlxGa1-xN阱层的铝组分取值范围为1>x>0.3，厚度为一个单原子层到3纳米；AlyGa1-yN隔离层铝组分取值范围为1≥y>x，厚度为1-4纳米。 2.相比传统结构LED，耦合阱结构LED的TE和TM模总自发辐射复合率可分别提高35.6%和67.7%。 3.内量子效率可提高50%。 4.效率下降效应可降低36%。

其他说明

无

完成人信息

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