混合功率模块新技术与目前工程领域普遍使用的纯Si IGBT或纯SiC MOSFET功率模块不同,结合SiC MOSFET的高开关频率、低开关损耗特性和Si IGBT的大载流能力和低成本特性,实现更高电流容量、较低成本的高性能电力电子器件;通过将Si/SiC混合开关、驱动、保护和控制电路封装在一个功率模块中组成智能功率模块(IPM),进一步减小体积和杂散参数,并提高可靠性。已研制了高性能Si/SiC智能混合功率模块,该模块样品的性价比优于现有的IGBT或SiC MOSFET模块,获得中国专利1项,发表高水平学术论文三十余篇