目前国内存储芯片晶圆切割使用PI（polyimide）保护，封装工艺的Blade saw工艺后，发生的微裂纹，使用显微镜或红外显微镜不能被很好的检查到。目前使用化学方法蚀刻掉表面的PI层后再使用显微镜才能明显观察到。这样效率低，且不能全面的检查整个晶圆的微裂纹情况。对于整体把握工程不良带来了极大的不便。往往在整个组装完成后的电性能测试才能检查出来，一旦电测试不良发生，组装已经全部结束，不能当工程及时发现和改进，造成了资源的浪费。希望对光学检查系统或仪器进行深入的研究探讨，然后进行改善升级，通过光学检查手段确保在当工程及时，迅速，全面的把握微裂纹的情况。
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王正博
2021-08-26
jqning
2021-12-15
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| 需求项目简述 |
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目前国内存储芯片晶圆切割使用PI（polyimide）保护，封装工艺的Blade saw工艺后，发生的微裂纹，使用显微镜或红外显微镜不能被很好的检查到。目前使用化学方法蚀刻掉表面的PI层后再使用显微镜才能明显观察到。这样效率低，且不能全面的检查整个晶圆的微裂纹情况。对于整体把握工程不良带来了极大的不便。往往在整个组装完成后的电性能测试才能检查出来，一旦电测试不良发生，组装已经全部结束，不能当工程及时发现和改进，造成了资源的浪费。希望对光学检查系统或仪器进行深入的研究探讨，然后进行改善升级，通过光学检查手段确保在当工程及时，迅速，全面的把握微裂纹的情况。
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企业信息
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