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25G高速半导体激光芯片材料的制备技术

需求所属领域: 电子信息、新材料
需求所处阶段:小批量生产阶段
需求缘由:产品升级换代
意向合作方式: 技术开发、技术服务
意向合作院校: 中国科学院半导体研究所
拟投入资金额: 面议
参加活动: 2020年高校院所服务苏北五市产学研合作对接活动
发布人:hxgj2017 离线
为满足5G通信高带宽的需求,5G基站前传使用的收发一体光模块的速率将从每秒10G比特升级到了每秒25G比特(25Gb/s),1310nm 25Gb/s高速半导体激光芯片是其中最为重要的核心芯片。实现面向5G通信的高速25Gb/s半导体激光芯片晶圆的研发和产业化,主要技术指标为:(1)3英寸外延片AlGaInAs应变量子阱PL波长均匀性偏差小于3nm ;(2)基于晶圆制作的半导体激光芯片的波长为13105nm,调制速率达到25Gb/s ;(3)申请国内发明专利2-3项,申请PCT专利1-2项。
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需求详情

技术介绍
需求项目简述
为满足5G通信高带宽的需求,5G基站前传使用的收发一体光模块的速率将从每秒10G比特升级到了每秒25G比特(25Gb/s),1310nm 25Gb/s高速半导体激光芯片是其中最为重要的核心芯片。实现面向5G通信的高速25Gb/s半导体激光芯片晶圆的研发和产业化,主要技术指标为:(1)3英寸外延片AlGaInAs应变量子阱PL波长均匀性偏差小于3nm ;(2)基于晶圆制作的半导体激光芯片的波长为13105nm,调制速率达到25Gb/s ;(3)申请国内发明专利2-3项,申请PCT专利1-2项。
企业信息
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