需求项目简述 |
---|
为满足5G通信高带宽的需求,5G基站前传使用的收发一体光模块的速率将从每秒10G比特升级到了每秒25G比特(25Gb/s),1310nm 25Gb/s高速半导体激光芯片是其中最为重要的核心芯片。实现面向5G通信的高速25Gb/s半导体激光芯片晶圆的研发和产业化,主要技术指标为:(1)3英寸外延片AlGaInAs应变量子阱PL波长均匀性偏差小于3nm ;(2)基于晶圆制作的半导体激光芯片的波长为13105nm,调制速率达到25Gb/s ;(3)申请国内发明专利2-3项,申请PCT专利1-2项。
|
企业名称 | 对接成功后可查看 | 企业类型 | 对接成功后可查看 |
---|---|---|---|
所在地区 | 对接成功后可查看 | 详细地址 | 对接成功后可查看 |