高纯度是电子产品对材料最基本的要求，在超大规模集成电路中要求更加严格，除了常规杂质元素含量要求低外，还要求放射性元素含量尽量极低。目前，美国生产的用于超大规模集成电路封装料的球形硅微粉SiO2含量达99.98[%]以上，杂质含量非常低，其中Fe､Al､Ca､Mg等金属氧化物含量总和小于130×10-6，放射性元素含量在0.5×10-6以内；日本生产的球形硅微粉SiO2含量达99.9[%]，Fe2O3含量可达8×10-6，水淬取液中Na+､K+､Ca2+､Cl-等离子含量分别可达5×10-6以下，放射性U含量达0.1×10-9以下。而国内生产的球形硅微粉SiO2含量一般只能达99.8[%]，且无放射性元素Ｕ指标，产品纯度无法与进口产品相提并论。
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技术介绍
| 需求项目简述 |
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高纯度是电子产品对材料最基本的要求，在超大规模集成电路中要求更加严格，除了常规杂质元素含量要求低外，还要求放射性元素含量尽量极低。目前，美国生产的用于超大规模集成电路封装料的球形硅微粉SiO2含量达99.98[%]以上，杂质含量非常低，其中Fe､Al､Ca､Mg等金属氧化物含量总和小于130×10-6，放射性元素含量在0.5×10-6以内；日本生产的球形硅微粉SiO2含量达99.9[%]，Fe2O3含量可达8×10-6，水淬取液中Na+､K+､Ca2+､Cl-等离子含量分别可达5×10-6以下，放射性U含量达0.1×10-9以下。而国内生产的球形硅微粉SiO2含量一般只能达99.8[%]，且无放射性元素Ｕ指标，产品纯度无法与进口产品相提并论。
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企业信息
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