需要解决的主要技术问题：
RF 电源：设备RF 电极、匹配、干扰等高频电路的相关技术
高温测量：通过石英窗口测量腔体高温的相关技术，比如3.9um、5.0um 的波长的光怎么才能透过石英窗口，以及加工的相关技术。
SiC 的相关技术：石墨涂SiC 涂层，在微氧氛围中能耐住快速升降温，最高温度可达到1150℃的相关技术。
铝表面镀金： 在铝板的表面镀亮面的黄金层，怎么才能保证反光的均匀性，高温情况下镀金层不脱落
需求提出背景及主要应用领域方向：
半导体制造中，晶圆退火处理，是常见的处理工艺，CMOS 等芯片在进行了离子注入以后，需要用高温退火来完成缺陷修复以及实现晶格的规则排列，快速热退火炉是晶圆退火工艺中的重要设备。
碳化硅功率半导体，被称为第三代半导体，由于其与现有硅相比的优越特性，目前被广泛应用于各个行业。碳化硅半导体的优势包括：（1）出色的高压实现（能带隙比硅宽3 倍），（2）低电阻（1/100），（3）高速运行（耐压和高频运行提高10 倍）。其主要应用领域为高电压（1200V 以上）的大电流的高附加值工业领域，尤其是电动汽车、电池、工业电机、风电、太阳能逆变器等所有高新技术产业领域。
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技术介绍
| 需求项目简述 |
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需要解决的主要技术问题：
RF 电源：设备RF 电极、匹配、干扰等高频电路的相关技术
高温测量：通过石英窗口测量腔体高温的相关技术，比如3.9um、5.0um 的波长的光怎么才能透过石英窗口，以及加工的相关技术。
SiC 的相关技术：石墨涂SiC 涂层，在微氧氛围中能耐住快速升降温，最高温度可达到1150℃的相关技术。
铝表面镀金： 在铝板的表面镀亮面的黄金层，怎么才能保证反光的均匀性，高温情况下镀金层不脱落
需求提出背景及主要应用领域方向：
半导体制造中，晶圆退火处理，是常见的处理工艺，CMOS 等芯片在进行了离子注入以后，需要用高温退火来完成缺陷修复以及实现晶格的规则排列，快速热退火炉是晶圆退火工艺中的重要设备。
碳化硅功率半导体，被称为第三代半导体，由于其与现有硅相比的优越特性，目前被广泛应用于各个行业。碳化硅半导体的优势包括：（1）出色的高压实现（能带隙比硅宽3 倍），（2）低电阻（1/100），（3）高速运行（耐压和高频运行提高10 倍）。其主要应用领域为高电压（1200V 以上）的大电流的高附加值工业领域，尤其是电动汽车、电池、工业电机、风电、太阳能逆变器等所有高新技术产业领域。
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企业信息
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负责人信息
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