技术需求：
1、针对超高效N 型电池设计；
2、金属银粉进行分级分散，满足优化浆料性能需求；
3、特殊设计的配方，在方阻≥120ohm/sq 的条件下 能有效减少对硼扩发射极的损伤，保证较宽欧姆接触窗口，实现更低的接触电阻，从而提高单晶电池平均转换效率。
4、在保持低烧温的同时，最大程度保留钝化层性能，降低金属接触复合损失；
5、有效控制玻璃体系腐蚀活性，拓宽钝化层工艺厚度适应，带来电压与电流双增益；
6、拥有良好的印刷性，可适配≥20μm 无网结网版开口设计及≥24μm 常规网版开口；
7、兼容单次和分布两种印刷方式。
主要关键技术：
1、金属粉分级分散技术：通过对原物料的质量管控及分级分散处理，解决团聚现象和存储过程中的沉淀问题。
2、浆料金属化技术：通过金属粉掺合比例设计，病控制金属粉刺端，有效获得地接触方阻，提高单晶电池平均转化率。
3、抗氧化技术：通过膜层结构匹配，主要为银粉、无机玻璃、AL粉优配以及控制腐蚀钝化膜层强度、均匀性等技术，进行腐蚀性优化，从而保留钝化层性能。
4、内电极膏黏度控制技术：通过对配方中添加玻璃体系的含量及类别的控制，控制浆料黏度以及腐蚀活性，解决下游客户产品在堆叠及切割过程中的分层问题以及提高产品电学性能。
5、内电极金属粉与有机、树脂体系匹配技术：通过精确掌握有机及树脂体系的类别，含量以及特性，提高平衡透墨触变、流平性等，解决下游客户产品的内电极不平整问题，提升印刷性。
6、研磨工艺创新，实现更小数量级别的印刷需求。
指标：
1、金属银粉要求质地均匀、粒径区间为1-3μm，形成球形形态，无团聚、沉淀现象；
2、通过导电浆料配方设计，实现银浆抗氧化性提升，改善玻璃蚀刻能力，形成更多的通路点位，B扩高方阻≥120ohm/sq or SE；低单耗下低Rc和低RL，单晶电池平均转换效率达到23.5%;
3、最大程度保留钝化层性能，降低金属接触复合损失。
4、金属化浆料研磨工序创新满足可适配≥20μm 无网结网版开口设计及≥24μm 常规网版开口。
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技术介绍
| 需求项目简述 |
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技术需求：
1、针对超高效N 型电池设计；
2、金属银粉进行分级分散，满足优化浆料性能需求；
3、特殊设计的配方，在方阻≥120ohm/sq 的条件下 能有效减少对硼扩发射极的损伤，保证较宽欧姆接触窗口，实现更低的接触电阻，从而提高单晶电池平均转换效率。
4、在保持低烧温的同时，最大程度保留钝化层性能，降低金属接触复合损失；
5、有效控制玻璃体系腐蚀活性，拓宽钝化层工艺厚度适应，带来电压与电流双增益；
6、拥有良好的印刷性，可适配≥20μm 无网结网版开口设计及≥24μm 常规网版开口；
7、兼容单次和分布两种印刷方式。
主要关键技术：
1、金属粉分级分散技术：通过对原物料的质量管控及分级分散处理，解决团聚现象和存储过程中的沉淀问题。
2、浆料金属化技术：通过金属粉掺合比例设计，病控制金属粉刺端，有效获得地接触方阻，提高单晶电池平均转化率。
3、抗氧化技术：通过膜层结构匹配，主要为银粉、无机玻璃、AL粉优配以及控制腐蚀钝化膜层强度、均匀性等技术，进行腐蚀性优化，从而保留钝化层性能。
4、内电极膏黏度控制技术：通过对配方中添加玻璃体系的含量及类别的控制，控制浆料黏度以及腐蚀活性，解决下游客户产品在堆叠及切割过程中的分层问题以及提高产品电学性能。
5、内电极金属粉与有机、树脂体系匹配技术：通过精确掌握有机及树脂体系的类别，含量以及特性，提高平衡透墨触变、流平性等，解决下游客户产品的内电极不平整问题，提升印刷性。
6、研磨工艺创新，实现更小数量级别的印刷需求。
指标：
1、金属银粉要求质地均匀、粒径区间为1-3μm，形成球形形态，无团聚、沉淀现象；
2、通过导电浆料配方设计，实现银浆抗氧化性提升，改善玻璃蚀刻能力，形成更多的通路点位，B扩高方阻≥120ohm/sq or SE；低单耗下低Rc和低RL，单晶电池平均转换效率达到23.5%;
3、最大程度保留钝化层性能，降低金属接触复合损失。
4、金属化浆料研磨工序创新满足可适配≥20μm 无网结网版开口设计及≥24μm 常规网版开口。
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企业信息
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负责人信息
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