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5G毫米波技术及低功耗传感器

需求所属领域: 电子信息、装备制造、新材料
需求所处阶段:试生产阶段
需求缘由:新产品开发、制造工艺改进、制造装备改进
意向合作方式: 技术开发、技术咨询、技术服务
意向合作院校: 中国科学院微电子研究所
拟投入资金额: 面议
参加活动: 第二届江苏产学研合作对接大会
发布人:中科河途 离线
技术优势说明:本项目的核心专利技术涵盖了先进的微波毫米波通讯材料及制备工艺,革新了高频无源器件的设计和制造技术,是下一代信息电子领域的核心元器件关键技术之一。基于铁氧体技术的相关器件的前瞻性研究,开发了新型射频产品Ku-W波段 环形器、隔离器、天线和多模块集成射频组件。同时在5G毫米波电路的元器件、组件和系统等方面都有丰富经验与积累。 市场状况:部分产品已和下游厂商完成应用验证,进入试销阶段: 首次实现了在宽禁带半导体衬底上生长和刻蚀铁氧体薄膜,提出了在半导体衬底SiC/GaN上集成铁氧体环形器和功放的技术方案,提高T/R的性能与集成度。首次实现了BaM铁氧体材料与SiC衬底的晶圆级键合,解决了量产的瓶颈问题。形成铁氧体器件完整的设计与制备流程方案。 技术参数:对比国内(华扬通信/优译/韩国Partron)有明显的技术优势。产品尺寸、高度、重量极大缩小和减轻。
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需求详情

技术介绍
需求项目简述
技术优势说明:本项目的核心专利技术涵盖了先进的微波毫米波通讯材料及制备工艺,革新了高频无源器件的设计和制造技术,是下一代信息电子领域的核心元器件关键技术之一。基于铁氧体技术的相关器件的前瞻性研究,开发了新型射频产品Ku-W波段 环形器、隔离器、天线和多模块集成射频组件。同时在5G毫米波电路的元器件、组件和系统等方面都有丰富经验与积累。 市场状况:部分产品已和下游厂商完成应用验证,进入试销阶段: 首次实现了在宽禁带半导体衬底上生长和刻蚀铁氧体薄膜,提出了在半导体衬底SiC/GaN上集成铁氧体环形器和功放的技术方案,提高T/R的性能与集成度。首次实现了BaM铁氧体材料与SiC衬底的晶圆级键合,解决了量产的瓶颈问题。形成铁氧体器件完整的设计与制备流程方案。 技术参数:对比国内(华扬通信/优译/韩国Partron)有明显的技术优势。产品尺寸、高度、重量极大缩小和减轻。
企业信息
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所在地区 对接成功后可查看 详细地址 对接成功后可查看
负责人信息
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