由于碳化硅陶瓷材料的性能特点，在制备半导体装备用精密零部件时，存在诸多的技术难点和挑战，目前国际上只有日本、美国、韩国等国家的少数企业实现高端碳化硅陶瓷部件的生产，并成功应用于半导体装备中，形成了技术垄断，成为制约我国半导体装备用关键零部件的“卡脖子”技术，严重阻碍了我国半导体装备技术的发展，进而影响我国集成电路产业的进步。在国外对我国半导体核心产品和零部件实行技术封锁的大背景下，开发拥有自主知识产权的半导体装备及零部件成为半导体行业发展的重点。突破碳化硅陶瓷加工的技术难题，打破国外技术垄断，实现半导体装备用碳化硅陶瓷部件生产技术的自主可控，带动半导体装备产业的创新发展显得尤为重要。
碳化硅陶瓷盘高精度环形抛光技术，需要解决部件抛光时接触压强不均以及边缘过抛的现象，实现环抛磨削介质均匀损耗，实现12寸陶瓷圆盘抛光后，平面度达到500nm，粗糙度达到20nm。
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技术介绍
| 需求项目简述 |
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由于碳化硅陶瓷材料的性能特点，在制备半导体装备用精密零部件时，存在诸多的技术难点和挑战，目前国际上只有日本、美国、韩国等国家的少数企业实现高端碳化硅陶瓷部件的生产，并成功应用于半导体装备中，形成了技术垄断，成为制约我国半导体装备用关键零部件的“卡脖子”技术，严重阻碍了我国半导体装备技术的发展，进而影响我国集成电路产业的进步。在国外对我国半导体核心产品和零部件实行技术封锁的大背景下，开发拥有自主知识产权的半导体装备及零部件成为半导体行业发展的重点。突破碳化硅陶瓷加工的技术难题，打破国外技术垄断，实现半导体装备用碳化硅陶瓷部件生产技术的自主可控，带动半导体装备产业的创新发展显得尤为重要。
碳化硅陶瓷盘高精度环形抛光技术，需要解决部件抛光时接触压强不均以及边缘过抛的现象，实现环抛磨削介质均匀损耗，实现12寸陶瓷圆盘抛光后，平面度达到500nm，粗糙度达到20nm。
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企业信息
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负责人信息
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