1200V高耐压GaN功率器件研发

需求所属领域：电子信息

需求所处阶段：研制阶段

需求缘由：新产品开发

意向合作方式：技术开发

意向合作院校：

拟投入资金额： 50万元

参加活动：第二届江苏产学研合作对接大会

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发布人：江苏能华微电子科技发展有限公司离线

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市场背景： 2020年的GaN功率器件市场突飞猛进的原因之一是快充的广泛应用，到目前为止，至少有10个智能手机OEM厂商推出了18款以上的内置GaN的充电器手机。未来随着智能手机等设备的电池容量越来越大，用户对快充的需求将会更加明显。当前的功率GaN FET有两个主流方向：增强型（E-Mode，单芯片常关器件）和耗尽型（D-Mode，双芯片常关器件）。目前E-Mode栅极有稳定性和漏电流的问题，而驱动双芯片常关（或者说共源共栅配置）的D-Mode器件则更简单并稳健。所以，对于可高达1 MHz开关频率的操作，共源共栅GaN FET最为适合。技术需求： 1200V高耐压GaN功率器件研发

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需求详情

技术介绍

需求项目简述
市场背景： 2020年的GaN功率器件市场突飞猛进的原因之一是快充的广泛应用，到目前为止，至少有10个智能手机OEM厂商推出了18款以上的内置GaN的充电器手机。未来随着智能手机等设备的电池容量越来越大，用户对快充的需求将会更加明显。当前的功率GaN FET有两个主流方向：增强型（E-Mode，单芯片常关器件）和耗尽型（D-Mode，双芯片常关器件）。目前E-Mode栅极有稳定性和漏电流的问题，而驱动双芯片常关（或者说共源共栅配置）的D-Mode器件则更简单并稳健。所以，对于可高达1 MHz开关频率的操作，共源共栅GaN FET最为适合。技术需求： 1200V高耐压GaN功率器件研发

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