高性能Si3N4AMB陶瓷基板的研发及产业化

需求所属领域：电子信息

需求所处阶段：

需求缘由：

意向合作方式：

意向合作院校：

拟投入资金额： 1000万元

参加活动：第二届江苏产学研合作对接大会

我要对接关注发送消息

发布人：南通威斯派尔半导体技术有限公司离线

发送消息

技术内容及指标： 1、开发Si3N4-AMB商业化生产工艺，掌握用于铜箔与Si3N4焊接的活性金属钎焊料的配方及其制备工艺，突破铜箔与Si3N陶瓷间无缺陷钎焊的技术和工艺瓶颈，实现Si3N4-AMB制造的全过程自主可控，完成车规级Si3N4-AMB基板的大规模商业化生产。（1）主要性能指标达到或领先国际主要供应商：抗弯强度＞700MPa，击穿电压>15kv/mm，杨氏模量310Gpa，蚀刻因子>2，铜箔剥离强度>10N/mm，孔洞率5000个循环，铜表面粗糙度Ra700MPa，断裂韧性≥8MPa·m1/2，击穿电压>15kv/mm，翘曲度15kv/mm，翘曲度<0.2%，填补国内空白；

17 次浏览分享到

需求详情

技术介绍

需求项目简述
技术内容及指标： 1、开发Si3N4-AMB商业化生产工艺，掌握用于铜箔与Si3N4焊接的活性金属钎焊料的配方及其制备工艺，突破铜箔与Si3N陶瓷间无缺陷钎焊的技术和工艺瓶颈，实现Si3N4-AMB制造的全过程自主可控，完成车规级Si3N4-AMB基板的大规模商业化生产。（1）主要性能指标达到或领先国际主要供应商：抗弯强度＞700MPa，击穿电压>15kv/mm，杨氏模量310Gpa，蚀刻因子>2，铜箔剥离强度>10N/mm，孔洞率5000个循环，铜表面粗糙度Ra700MPa，断裂韧性≥8MPa·m1/2，击穿电压>15kv/mm，翘曲度15kv/mm，翘曲度<0.2%，填补国内空白；

需求项目简述

企业信息

企业名称	对接成功后可查看	企业类型	对接成功后可查看
所在地区	对接成功后可查看	详细地址	对接成功后可查看

负责人信息

姓名：对接成功后可查看

所在部门：对接成功后可查看

职务：对接成功后可查看

手机：对接成功后可查看

E-mail：对接成功后可查看

电话：对接成功后可查看

传真：对接成功后可查看

联系人信息