需求项目简述 |
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公司目前正在研发中。本项目的主要研究内容是C-V2X通信射频前端芯片的研制。芯片采用多种集成电路工艺制造,包括GaAs HBT工艺、GaAs pHEMT工艺和硅基CMOS工艺,最重要的核心目标就是要实现完全国产化,所有芯片的设计、代工、封测都要做国内本土实现。研发重点除了射频功率放大器、射频开关和低噪声放大器之外,还有WLP封装问题。
研发的C-V2X射频前端模组的主要技术指标包括:
1. 满足AEC-Q100 Grade 2规格要求;
2. 工作电压+5V,低电压+4.2V可正常工作;
3. 线性输出功率Pout=29dBm @10%占空比,10MHz带宽;
4. 高低功率模式,高功率增益>27dB,低功率增益13dB接收增益。
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