需要解决的主要技术问题:
RF 电源：设备RF电极、匹配、干扰等高频电路的相关技术高温测量:通过石英窗口测量腔体高温的相关技术，比如3.9um、5.0um 的波长的光怎么才能透过石英窗口，以及加工的相关技术。
SIC的相关技术:石墨涂SIC涂层，在微氧氛围中能耐住快速升降温，最高温度可达到1150℃的相关技术。
铝表面镀金: 在铝板的表面镀亮面的黄金层， 怎么才能保证反光的均匀性，高温情况下镀金层不脱落
需求提出背景及主要应用领域方向:
半导体制造中，晶圆退火处理，是常见的处理工艺，CMOS等芯片在进行了离子注入以后，需要用高温退火来完成缺陷修复以及实现晶格的规则排列，快速热退火炉是晶圆退火工艺中的重要设备。碳化硅功率半导体，被称为第三代半导体，由于其与现有硅相比的优越特性，目前被广泛应用于各个行业。碳化硅半导体的优势包括:(1)出色的高乐实现(能带隙比硅宽3倍) (2)低申阳(1/100)(3)高速运行(耐压和高频运行提高10倍)。其主要应用领域为高电压(1200V以上)的大电流的高附加值工业领域，尤其是电动汽车、电池、工业电机、风电、太阳能逆变器等所有高新技术产业领域。
作为第三代碳化硅大功率半导体制造设备，其具有现有硅制造工艺无法满足的工艺要求，全自动第三代半导体专用快速退火炉的研发制造项目是根据半导体行业的发展需求而产生的研究方向。
技术难点:
目前新产品是仿制美国AG的，石英窗口是设备重要的部件，具体材料还没有研究清楚;腔体全是黄金，如何保证高温下镀金层不脱落；快速升降温及温度控制、温度测量手段等问题。
对主要技术指标、成本等有关要求:
温度达到1150℃;
温度控制精度<+1℃;
均匀性士0.5升温速率达到120℃/S
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需求详情
技术介绍
| 需求项目简述 |
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需要解决的主要技术问题:
RF 电源：设备RF电极、匹配、干扰等高频电路的相关技术高温测量:通过石英窗口测量腔体高温的相关技术，比如3.9um、5.0um 的波长的光怎么才能透过石英窗口，以及加工的相关技术。
SIC的相关技术:石墨涂SIC涂层，在微氧氛围中能耐住快速升降温，最高温度可达到1150℃的相关技术。
铝表面镀金: 在铝板的表面镀亮面的黄金层， 怎么才能保证反光的均匀性，高温情况下镀金层不脱落
需求提出背景及主要应用领域方向:
半导体制造中，晶圆退火处理，是常见的处理工艺，CMOS等芯片在进行了离子注入以后，需要用高温退火来完成缺陷修复以及实现晶格的规则排列，快速热退火炉是晶圆退火工艺中的重要设备。碳化硅功率半导体，被称为第三代半导体，由于其与现有硅相比的优越特性，目前被广泛应用于各个行业。碳化硅半导体的优势包括:(1)出色的高乐实现(能带隙比硅宽3倍) (2)低申阳(1/100)(3)高速运行(耐压和高频运行提高10倍)。其主要应用领域为高电压(1200V以上)的大电流的高附加值工业领域，尤其是电动汽车、电池、工业电机、风电、太阳能逆变器等所有高新技术产业领域。
作为第三代碳化硅大功率半导体制造设备，其具有现有硅制造工艺无法满足的工艺要求，全自动第三代半导体专用快速退火炉的研发制造项目是根据半导体行业的发展需求而产生的研究方向。
技术难点:
目前新产品是仿制美国AG的，石英窗口是设备重要的部件，具体材料还没有研究清楚;腔体全是黄金，如何保证高温下镀金层不脱落；快速升降温及温度控制、温度测量手段等问题。
对主要技术指标、成本等有关要求:
温度达到1150℃;
温度控制精度<+1℃;
均匀性士0.5升温速率达到120℃/S
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企业信息
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负责人信息
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