需求项目简述 |
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基于GaN 基的第三代半导体,由于其禁带宽度大,电导率高,热导率高,故在手
机与汽车快充以及RF 射频领域被广泛应用。而目前基于SiC 的第三代半导体技
术属于较新的前沿技术,所以其外延磊晶的工艺以及芯片工艺还在研发阶段,
需要新的设备,物料以及人员等方面的投入。
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