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基于GaN的第三代半导体外延与芯片技术

需求所属领域: 电子信息
需求所处阶段:研制阶段
需求缘由:新产品开发
意向合作方式: 其他
意向合作院校:
拟投入资金额: 面议
参加活动:
发布人:江苏省生产力促进中心苏南中心综合与政策服务处 离线
基于GaN 基的第三代半导体,由于其禁带宽度大,电导率高,热导率高,故在手 机与汽车快充以及RF 射频领域被广泛应用。而目前基于SiC 的第三代半导体技 术属于较新的前沿技术,所以其外延磊晶的工艺以及芯片工艺还在研发阶段, 需要新的设备,物料以及人员等方面的投入。
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需求详情

技术介绍
需求项目简述
基于GaN 基的第三代半导体,由于其禁带宽度大,电导率高,热导率高,故在手 机与汽车快充以及RF 射频领域被广泛应用。而目前基于SiC 的第三代半导体技 术属于较新的前沿技术,所以其外延磊晶的工艺以及芯片工艺还在研发阶段, 需要新的设备,物料以及人员等方面的投入。
企业信息
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所在地区 对接成功后可查看 详细地址 对接成功后可查看
负责人信息
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