1、靶材均一性问题
高掺杂Sc的AlScN薄膜能显著提升机电耦合性能和压电系数，但因为Sc在Al中固溶度低，熔点差异大导致很难制备高Sc含量的AlSc合金靶材，实验室有将单独的Al靶材和Sc靶材切割成小片，交替排列在镀膜设备真空腔体内，反应溅射得到高Sc含量的AlScN薄膜，此结构复杂，薄膜性能难以保证，仅限于实验室研究而难以大规模商业应用。如何制备均匀的合金锭是得到高性能靶材的前提。
2、靶材微观结构控制
靶材内部的晶粒大小、晶向直接决定了溅射成膜的均匀性和溅射速度，从而也显著影响后续产品的品质，因此，晶粒晶向的控制是溅射靶材生产过程中的关键技术。
3、精密机械加工
半导体行业使用的PVD设备对于靶材的尺寸要求也很高，尺寸的偏差不仅会影响客户的经济性，还可能会影响到客户产品的质量。因此必须确保靶材的尺寸和公差进行精确的控制，通常要求公差在10um以内，表面粗糙度不高于0.4um。
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技术介绍
| 需求项目简述 |
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1、靶材均一性问题
高掺杂Sc的AlScN薄膜能显著提升机电耦合性能和压电系数，但因为Sc在Al中固溶度低，熔点差异大导致很难制备高Sc含量的AlSc合金靶材，实验室有将单独的Al靶材和Sc靶材切割成小片，交替排列在镀膜设备真空腔体内，反应溅射得到高Sc含量的AlScN薄膜，此结构复杂，薄膜性能难以保证，仅限于实验室研究而难以大规模商业应用。如何制备均匀的合金锭是得到高性能靶材的前提。
2、靶材微观结构控制
靶材内部的晶粒大小、晶向直接决定了溅射成膜的均匀性和溅射速度，从而也显著影响后续产品的品质，因此，晶粒晶向的控制是溅射靶材生产过程中的关键技术。
3、精密机械加工
半导体行业使用的PVD设备对于靶材的尺寸要求也很高，尺寸的偏差不仅会影响客户的经济性，还可能会影响到客户产品的质量。因此必须确保靶材的尺寸和公差进行精确的控制，通常要求公差在10um以内，表面粗糙度不高于0.4um。
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企业信息
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