邱显钦博士2003年在台湾中央大学电机系固态组取得博士学位后[博士论文题目: 深次微米砷化镓通道掺杂场效应晶体管及其在微波功率放大器之应用]，加入了亚洲第一家六吋砷化镓代工厂(现在世界最大砷化镓器件代工厂)-稳懋半导体，从事0.15微米砷化镓高电子移导率场效应晶体管(0.15μm GaAs pHEMT)及其电路开发，以及商业六吋砷化镓pHEMT与HBT生产线量产规划与建厂设计。2004年六月加入台塑集团长庚大学电子系进行高速组件开发与毫米波集成电路设计并同时规划建立长庚大学化合物半导体无尘室及其相关半导体制程设备，2007年开始氮化镓高功率组件与高功率电路技术开发，2010年取得正教授资格。2009年加入长庚大学高速智能通讯研究中心并建立110GHz 高频量测与建模能力的毫米波核心实验室，2013年建立四吋氮化镓功率组件实验室开发氮化镓功率晶体管与驱动模块，氮化镓微波晶体管与模块。2012年担任长庚大学高速智能通讯研究中心主任，来年也担任长庚大学光电所所长，邱教授在微波砷化镓高速器件，氮化镓高压器件与微波毫米波电路方面迄今发表了超过160篇国际论文，150国际会议论文，十个技术专利，目前也是IEEE资深会员(IEEE Senior Member)并服务于IEEE Microwave Theory and Techniques Society Policy Team Member。邱教授也是斐陶斐协会会员，过去五年执行的产学计划总经费达两千四百万台币(约四百八十万人民币) ，五年内台湾科技部计划总经费约达一千两百万台币（约两百四十万人民币）。
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团队简介
邱显钦博士2003年在台湾中央大学电机系固态组取得博士学位后[博士论文题目: 深次微米砷化镓通道掺杂场效应晶体管及其在微波功率放大器之应用]，加入了亚洲第一家六吋砷化镓代工厂(现在世界最大砷化镓器件代工厂)-稳懋半导体，从事0.15微米砷化镓高电子移导率场效应晶体管(0.15μm GaAs pHEMT)及其电路开发，以及商业六吋砷化镓pHEMT与HBT生产线量产规划与建厂设计。2004年六月加入台塑集团长庚大学电子系进行高速组件开发与毫米波集成电路设计并同时规划建立长庚大学化合物半导体无尘室及其相关半导体制程设备，2007年开始氮化镓高功率组件与高功率电路技术开发，2010年取得正教授资格。2009年加入长庚大学高速智能通讯研究中心并建立110GHz 高频量测与建模能力的毫米波核心实验室，2013年建立四吋氮化镓功率组件实验室开发氮化镓功率晶体管与驱动模块，氮化镓微波晶体管与模块。2012年担任长庚大学高速智能通讯研究中心主任，来年也担任长庚大学光电所所长，邱教授在微波砷化镓高速器件，氮化镓高压器件与微波毫米波电路方面迄今发表了超过160篇国际论文，150国际会议论文，十个技术专利，目前也是IEEE资深会员(IEEE Senior Member)并服务于IEEE Microwave Theory and Techniques Society Policy Team Member。邱教授也是斐陶斐协会会员，过去五年执行的产学计划总经费达两千四百万台币(约四百八十万人民币) ，五年内台湾科技部计划总经费约达一千两百万台币（约两百四十万人民币）。参展成果
骨干成员
| 姓名 | 职务/职称 | 方向 |
|---|---|---|
| 邱显钦 | 教授 | 第二代第三代半导体制造与微波电路设计 |
在研课题
| 课题名称 | 科技计划名称 |
|---|---|
| 第五代行动通信芯片 | 第五代行动通信微基站之氮化镓芯片制造与设计 |
重大成果
| 成果名称 | 所获奖项 |
|---|
团队带头人
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