孙雪平,女,研究员级高级工程师,中国电子科技集团公司半导体装备领域首席专家,SiC电力电子器件整线工艺装备研制团队带头人。多次主持承担国家“863”计划项目、总装备部型谱项目、科技部重大专项项目以及科技创新项目的研发工作,获部级以上科技奖励十余项。本团队拥有骨干成员约20人,其中教授级高工5人、高级工程师9人。近5年,承担国家省部委以上科研项目10余项,包括国家863计划、装备发展部预先研究项目等。基于48所在半导体装备研发的技术基础和完善的科研管理体制以及在外延、注入、氧化、烧结、薄膜等设备方面扎实的共性技术基础,团队在国内率先开展SiC电力电子器件的专用设备研究,迄今为止在SiC专用装备方面取得专利逾30项,在行业内具有领先地位。2014年,通过国家863重大专项“面向高压电力电子器件的大尺寸碳化硅材料与器件的制造设备与工艺技术研究”项目,团队成功开发国内首台SiC外延生长炉和SiC高温高能离子注入机,并进行器件工艺验证和市场应用;在此基础上,进一步完成SiC高温氧化炉、SiC高温退火炉的研制开发和销售推广,实现SiC电力电子器件关键工艺装备的成套化,并向整线集成能力迈进。